Технические характеристики
Производитель FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP. (FAIRCHILD)
Корпус TO220F
Структура N
Схема соединения Одиночный
V(BR)DSS – напряжение пробоя сток-исток 600 V
Vgs – напряжение затвор-исток ±30 V
Id25 – постоянный ток стока при 25°C 2 А
Id75(100) – постоянный ток стока при 75(100)°C 1.35 А
Rds(on)25 – сопротивление сток-исток при 25°C,Vgs=10V 3.6 Ом
VGS(th) – пороговое напряжение затвор-исток (диапазон) 2 … 4 V
Мощность рассеяния при 25°C 23 Вт