30.00 грн.
N-Channel MOSFET 55V, 42A, 8mΩ
Є в наявності
Технические характеристики
Производитель International Rectifier (IR)
Корпус DPAK
Структура N
Схема соединения Одиночный
V(BR)DSS – напряжение пробоя сток-исток 55 V
Vgs – напряжение затвор-исток ±16 V
Id25 – постоянный ток стока при 25°C 89 А
Id75(100) – постоянный ток стока при 75(100)°C 63 А
Id25 (Package Limited) – постоянный ток стока при 25°C ограниченный конструкцией корпуса 42 А
Rds(on)25 – сопротивление сток-исток при 25°C,Vgs=10V 6.5 мОм
Rds(on)25 – сопротивление сток-исток при 25°C,Vgs=5V 11 мОм
VGS(th) – пороговое напряжение затвор-исток (диапазон) 1 … 3 V
Мощность рассеяния при 25°C 130 Вт
Крутизна характеристики прямой передачи – Мин. 89