Транзистор MT4946 Dual N-Channel MOSFET VDSS=60V

Технические характеристики
Корпус SO8
Структура 2 N
Схема соединения Независимые
V(BR)DSS — напряжение пробоя сток-исток 60 / 60 V
Vgs — напряжение затвор-исток ±20 / ±20 V
Id25 — постоянный ток стока при 25°C 5 / 5 А
Rds(on)25 — сопротивление сток-исток при 25°C,Vgs=10V 38 / 38 мОм
Rds(on)25 — сопротивление сток-исток при 25°C,Vgs=5V 42 / 42 мОм
VGS(th) — пороговое напряжение затвор-исток (типовое) 1.5 V
VGS(th) — пороговое напряжение затвор-исток (диапазон) 1 … 2 V
Мощность рассеяния при 25°C 2 Вт